内容简介
本书全面系统地介绍了半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结型晶体管（BJT）和绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）的基本原理和工作特性。还介绍了双极晶体管的设计方法和制造中的问题，并附有各种图表以供参考。适合作为高等学校“电子科学与技术”、“集成电路设计与集成系统”、“微电子学”等本科专业相关课程的教材，也可供其他相关专业本科生、研究生和工程技术人员阅读参考。
本书全面系统地介绍了半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结型晶体管（BJT）和绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）的基本原理和工作特性，包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性，以及器件的SPICE模型。本书还介绍了双极晶体管的设计方法和制造中的问题，并附有各种图表以供参考。书中提供大量习题，供读者巩固以加深对所学知识的理解。
本书适合作为高等学校“电子科学与技术”、“集成电路设计与集成系统”、“微电子学”等本科专业相关课程的教材，也可供其他相关专业本科生、研究生和工程技术人员阅读参考。
编辑推荐
《晶体管原理与设计》(第2版)适合作为高等学校“电子科学与技术”、“集成电路设计与集成系统”、“微电子学”等本科专业相关课程的教材，也可供其他相关专业本科生、研究生和工程技术人员阅读参考。
目录
第1章 半导体器件基本方程
1.1 半导体器件基本方程的形式
1.1.1 泊松方程[1]
1.1.2 输运方程[2]
1.1.3 连续性方程[3]
1.1.4 方程的积分形式
1.2 基本方程的简化与应用举例
参考文献
第2章 PN结
2.1 PN结的平衡状态
2.1.1 空间电荷区的形成
2.1.2 内建电场、内建电势与耗尽区宽度
2.1.3 能带图
2.1.4 线性缓变结
2.1.5 耗尽近似和中性近似的适用性[1]
2.2 PN结的直流电流电压方程
2.2.1 外加电压时载流子的运动情况
2.2.2 势垒区两旁载流子浓度的玻耳兹曼分布
2.2.3 扩散电流
2.2.4 势垒区产生复合电流[2、3]
2.2.5 正向导通电压
2.2.6 薄基区二极管
2.3 准费米能级与大注入效应
2.3.1 自由能与费米能级
2.3.2 准费米能级
2.3.3 大注入效应
2.4 PN结的击穿
2.4.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子
2.4.2 雪崩击穿
2.4.3 齐纳击穿
2.4.4 热击穿
2.5 PN结的势垒电容
2.5.1 势垒电容的定义
2.5.2 突变结的势垒电容
2.5.3 线性缓变结的势垒电容
2.5.4 实际扩散结的势垒电容
2.6 PN结的交流小信号特性与扩散电容
2.6.1 交流小信号下的扩散电流
2.6.2 交流导纳与扩散电容
2.6.3 二极管的交流小信号等效电路
2.7 PN结的开关特性
2.7.1 PN结的直流开关特性
2.7.2 PN结的瞬态开关特性
2.7.3 反向恢复过程
2.7.4 存储时间与下降时问
2.8 SPICE中的二极管模型
习题
参考文献
第3章 双极结型晶体管
3.1 双极结型晶体管基础
3.1.1 双极结型晶体管的结构
3.1.2 偏压与工作状态
3.1.3 少子浓度分布与能带图
3.1.4 晶体管的放大作用
3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数[1~1]
3.2.1 基区输运系数
3.2.2 基区渡越时间
3.2.3 发射结注入效率
3.2.4 电流放大系数
3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数
3...
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