内容简介
本教材系按“1996—2000年全国电子信息类专业教材编审出版规划”，由“全国高校微电子技术专业教学指导委员会”编审推荐出版。 本书共分4部分，第1部分(第1～3章)为基础知识，主要介绍双极集成电路、MOS集成电路和Bi-CMOS电路的典型制造工艺，各制造工艺生成的集成电路元器件的结构，集成电路元器件的形成过程，元器件的特性及其寄生效应等。第2部分(第4～11章)介绍双极和MOS数字集成电路(包括双极TTL、ECL和I2L电路，各种MOS和CMOS数字电路)的特性以及分析方法，各种逻辑系列之间的电平转换电路，使读者对各种电路的特点及适用的场合有一个基本的了解。第3部分(第12～16章)介绍模拟集成电路，首先介绍模拟集成电路中的基本单元电路，如各种放大电路、有源负载、恒流源电路、电压源电路、电平位移电路、双端输出变单端输出电路、输出级及其保护电路等。接着介绍集成运算放大器、集成稳压电源电路及开关电容电路、A/D、D/A变换电路等几种常用的模拟集成电路。第4部分(第17～22章)专门介绍集成电路设计，即如何实现设计目标。首先介绍了集成电路的版图设计规则，给出了双极集成电路和MOS集成电路版图设计规则的部分图例。接着，以74HC139 MOS集成电路和5JZ12双极集成电路为例，详细介绍集成电路正向设计的全过程。然后，以74HC193 MOS集成电路为例，介绍如何进行MOS集成电路的芯片解剖。此外，还介绍如何识别双极集成电路的版图。此后又详细介绍集成电路的各种设计方法，比较各种设计方法的优缺点，并对集成电路的可靠性设计和可测性设计进行了专门的介绍。最后介绍集成电路计算机辅助设计中常用的一些工具以及计算机辅助设计的过程，并对VHDL做了简介。每章后面都附有习题。 本书取材内容兼顾了基础知识和集成电路的最新发展，并重点介绍集成电路设计特别是版图设计。本书可作为大专院校微电子学和半导体专业本科生的教材，也可供有关专业的本科生、研究生以及工程技术人员阅读参考。
目录
第1章 集成电路的基本制造工艺
1.1 双极集成电路的基本制造工艺
1.1.1 典型的双极集成电路工艺
1.1.2 双极集成电路中元件的形成过程和元件结构
1.2 MOS集成电路的基本制造工艺
1.2.1 N沟硅栅E／D MOS集成电路工艺
1.2.2 CMOS集成电路工艺
1.3 Bi-CM0S工艺
1.3.1 以CMOS工艺为基础的Bi-CMOS工艺
1.3.2 以双极工艺为基础的Bi-CMOS工艺
复习思考题
第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应
2.1 理想本征集成双极晶体管的埃伯斯一莫尔(EM)模型
2.2 集成双极晶体管的有源寄生效应
2.2.1 NPN管工作于正向工作区和截止区的情况
2.2.2 NPN管工作于反向工作区的情况
2.2.3 NPN管工作于饱和区的情况
2.3 集成双极晶体管的无源寄生效应
2.3.1 集成NPN晶体管中的寄生电阻
2.3.2 集成NPN晶体管中的寄生电容
2.4 集成电路中的PNP管
2.4.1 横向PNP管
2.4.2 衬底PNP管
2.4.3 自由集电极纵向PNP管
2.5 集成二极管
2.5.1 一般集成二极管
2.5.2 集成齐纳二极管和次表面齐纳管
2.6 肖特基势垒二极管(SBI))和肖特基箝位晶体管(SCT)
2.6.1 肖特基势垒二极管
2.6.2 肖特基箝位晶体管
2.6.3 SBD和SCT的设计
2.7 MOS集成电路中的有源寄生效应
2.7.1 场区寄生MOSFET
2.7.2 寄生双极型晶体管
2.7.3 寄生PN.PN效应
2.8 集成电路中的MOS晶体管模型
2.8.1 MOSl模型
2.8.2 MoS2模型
2.8.3 MoS3模型
复习思考题
第3章 集成电路中的无源元件
3.1 集成电阻器
3.1.1 基区扩散电阻
3.1.2 其他常用的集成电阻器
3.1.3 MOS集成电路中常用的电阻
3.2 集成电容器
3.2.1 双极集成电路中常用的集成电容器
3.2.2 MOS集成电路中常用的MOS电容器
3..
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