内容简介
本书介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。本书由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和锁相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。 本书是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。可供与集成电路领域有关的各电类专业的高年级本科生和研究生使用，也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。
编辑推荐
《模拟CMOS集成电路设计》是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的新教材。该书组织严谨，内容丰富，循序渐进。在阐述原理和概念时，由浅入深，逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时，着重观察和分析，不断地提出问题和解决问题，重视这三方面能力的培养。
目录
第1章 模拟电路设计绪论
1. 1 研究模拟电路的重要性
1. 2 研究模拟集成电路的重要性
1. 3 研究CMOS模拟集成电路的重要性
1. 4 本书的特点
1. 5 电路设计的一般概念
1. 5. 1 抽象级别
1. 5. 2 鲁棒模拟电路设计
1. 5. 3 符号
第2章 MOS器件物理基础
2. 1 基本概念
2. 1. 1 MOSFET开关
2. 1. 2 MOSFET的结构
2. 1. 3 MOS符号
2. 2 MOS的I／V特性
2. 2. 1 阈值电压
2. 2. 2 I／V特性的推导
2. 3 二级效应
2. 4 MOS器件模型
2. 4. 1 MOS器件版图
2. 4. 2 MOS器件电容
2. 4. 3 MOS小信号模型
2. 4. 4 MOS SPICE模型
2. 4. 5 NMOS与PMOS器件的比较
2. 4. 6 长沟道器件与短沟道器件的比较
附录A：用作电容器的MOS器件的特性
习题
第3章 单级放大器
3. 1 基本概念
3. 2 共源级
3. 2. 1 采用电阻负载的共源级
3. 2. 2 采用二极管连接的负载的共源级
3. 2. 3 采用电流源负载的共源级
3. 2. 4 工作在线性区的MOS为负载的共源级
3. 2. 5 带源极负反馈的共源级
3. 3 源跟随器
3. 4 共栅级
3. 5 共源共栅级
3. 5. 1 折叠式共源共栅
3. 6 器件模型的选择
习题
第4章 差动放大器
4. 1 单端与差动的工作方式
4. 2 基本差动对
4. 2. 1 定性分析
4. 2. 2 定量分析
4. 3 共模响应
4. 4 MOS为负载的差动对
4. 5 吉尔伯特单元
习题
第5章 无源与有源电流镜
5. 1 基本电流镜
5. 2 共源共栅电流镜
5. 3 有源电流镜
5. 3. 1 大信号分析
5. 3. 2 小信号分析
5. 3. 3 共模特性
习题
第6章 放大器的频率特性
6. 1 概述
6. 1. 1 密勒效应
6. 1. 2 极点与结点的关联
6. 2 共源极
6. 3 源跟随器
6. 4 共..
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